| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 400 mA |
| 封装 | SOT-223 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 3.30 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 上升时间 | 5.00 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN1NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 250 mA, 800 V, 13 ohm, 30 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N - CHANNEL 200V - 1.2欧姆 - 1A - SOT- 223功率MOS晶体管 N - CHANNEL 200V - 1.2 ohm - 1A - SOT-223 POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 通道800V - 16欧姆 - 0.2A - SOT- 223的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 800V - 16 ohm - 0.2A - SOT-223 PowerMESH] MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast Switching
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 12ohm - 0.3A - SOT- 223 MOSFET PowerMesh⑩II N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 7ohm - 0.4A - SOT- 223 MOSFET PowerMesh⑩II N-CHANNEL 600V - 7ohm - 0.4A - SOT-223 PowerMesh⑩II MOSFET
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