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STL60P4LLF6 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
Power
描述:
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
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STL60P4LLF6 数据手册
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STL60P4LLF6 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
Power
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
40V
连续漏极电流(Ids)
60A
STL60P4LLF6 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
STL60P4LLF6 符合标准
STL60P4LLF6 概述
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
●
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
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