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STL50DN6F7 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
晶体管
封装:
Power
描述:
STL50DN6F7 系列 60V 11 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - PowerFlat-5x6
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STL50DN6F7 数据手册
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STL50DN6F7 技术参数、封装参数
类型
描述
封装
Power
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60V
连续漏极电流(Ids)
57A
STL50DN6F7 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
STL50DN6F7 符合标准
STL50DN6F7 数据手册
STL50DN6F7
产品设计参考手册
ST Microelectronics(意法半导体)
24 页 / 1.51 MByte
STL50DN6F7
开发手册
ST Microelectronics(意法半导体)
20 页 / 1.45 MByte
STL50DN6F7
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.85 MByte
STL50DN6 数据手册
STL50DN6
F7
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STL50DN6F7 系列 60V 11 mOhm N-沟道 STripFET™ F7 功率 Mosfet - PowerFlat-5x6
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示例:
STM32F103
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