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STL4N10F7 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
PowerFlat-8
描述:
N 沟道 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STL4N10F7 数据手册
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STL4N10F7 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
PowerFlat-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100V
连续漏极电流(Ids)
4.5A
STL4N10F7 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
STL4N10F7 符合标准
STL4N10F7 数据手册
STL4N10F7
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.87 MByte
STL4N10 数据手册
STL4N10
F7
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N 沟道 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3
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示例:
STM32F103
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