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STGW35NB60SD
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STGW35NB60SD 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:IGBT晶体管
封装:TO-247
描述:STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
PDF文件:STGW35NB60SD 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STGW35NB60SD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流35.0 A
封装TO-247
极性N-Channel
功耗200 W
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)70.0 A
上升时间70.0 ns
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STGW35NB60SD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STGW35NB60SD 数据手册

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13 页 / 0.23 MByte
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STGW35NB60 数据手册

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STMICROELECTRONICS  STGW35NB60SD  单晶体管, IGBT, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚
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