| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 7.00 A |
| 封装 | TO-220 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 80.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 7.00 A |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 600 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道7A - 600V - TO- 220 / FP / DPAK / D2PAK PowerMESH⑩ IGBT N-CHANNEL 7A - 600V - TO-220/FP/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道7A - 600V TO- 220 / FP的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 7A - 600V TO-220/FP PowerMESH IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道7A - 600V TO- 220 / D2PAK的PowerMESH ？ IGBT N-CHANNEL 7A - 600V TO-220 / D2PAK PowerMESH? IGBT
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道7A - 600V - T0-220 / DPAK IGBT的PowerMESH N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
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