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STF8N65M5 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220FP
描述:
STMICROELECTRONICS STF8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STF8N65M5 数据手册
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STF8N65M5 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220FP
极性
N-Channel
漏源极电压(Vds)
650V
连续漏极电流(Ids)
7A
STF8N65M5 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
STF8N65M5 符合标准
STF8N65M5 数据手册
STF8N65M5
产品设计图
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.09 MByte
STF8N65M5
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
26 页 / 1.42 MByte
STF8N65M5
产品修订记录
ST Microelectronics(意法半导体)
34 页 / 0.79 MByte
STF8N65 数据手册
STF8N65
M5
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STF8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
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