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STE48NM50
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STE48NM50 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:ISOTOP
描述:STMICROELECTRONICS  STE48NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 550 V, 0.08 ohm, 30 V, 4 V
PDF文件:STE48NM50 数据手册 (9 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STE48NM50 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)550 V
额定电流48.0 A
封装ISOTOP
漏源极电阻100 mΩ
极性N-Channel
功耗450 W
漏源极电压(Vds)550 V
漏源击穿电压550 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)48.0 A
上升时间35.0 ns
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STE48NM50 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
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STE48NM50 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）
9 页 / 0.23 MByte
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N沟道600V - 0.09W - 48A ISOTOP的MDmesh -TM功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.09W - 48A ISOTOP MDmesh-TM Power MOSFET
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