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STE250NS10
来自 AiPCBA

STE250NS10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:ISOTOP
描述:STMICROELECTRONICS  STE250NS10  晶体管, MOSFET, N沟道, 125 A, 100 V, 0.0045 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:STE250NS10 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STE250NS10 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
额定电压(DC)100 V
额定电流220 A
封装ISOTOP
漏源极电阻5.50 mΩ
极性N-Channel
功耗500 W
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)220 A
上升时间380 ns
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STE250NS10 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tube
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STE250NS10 数据手册

STE250NS10 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.32 MByte
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ST Microelectronics（意法半导体）
2 页 / 0.07 MByte
STE250NS10 其他参考文件
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STE250 数据手册

STE250NS10 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STE250NS10  晶体管, MOSFET, N沟道, 125 A, 100 V, 0.0045 ohm, 10 V, 3 V
STE 250/4/24 数据手册
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