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STD6N65M2 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
中高压MOS管
封装:
TO-252
描述:
STMICROELECTRONICS STD6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STD6N65M2 数据手册
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STD6N65M2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252
极性
N-Channel
STD6N65M2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
STD6N65M2 符合标准
STD6N65M2 数据手册
STD6N65M2
其他数据使用手册
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.42 MByte
STD6N65M2
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
23 页 / 0.86 MByte
STD6N65 数据手册
STD6N65
M2
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD6N65M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V
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示例:
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