| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 5.00 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 1.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 96.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.00 A |
| 上升时间 | 10.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFET
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STMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
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STMICROELECTRONICS STD5NM60-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
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