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STD5N60M2 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-252-3
描述:
N-沟道 600 V 3.5 A 1.4 Ohm 表面贴装 MDmesh II Plus Mosfet - DPAK
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
STD5N60M2 数据手册
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STD5N60M2 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-252-3
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
650V
连续漏极电流(Ids)
3.7A
STD5N60M2 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
STD5N60M2 符合标准
STD5N60M2 数据手册
STD5N60M2
产品封装文件
ST Microelectronics(意法半导体)
21 页 / 1.23 MByte
STD5N60 数据手册
STD5N60
M2
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 600 V 3.5 A 1.4 Ohm 表面贴装 MDmesh II Plus Mosfet - DPAK
STD5N60
DM2
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N-沟道 600 V 1.55 Ohm 表面贴装 MDmesh™ DM2 功率 Mosfet - DPAK-3
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示例:
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