类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 4.00 A |
封装 | TO-252 |
漏源极电阻 | 2.00 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 70.0 W |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.00 A |
上升时间 | 9.50 ns |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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STMICROELECTRONICS STD4NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 V
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N-二CHANNEL600V - 1.76ohm - 4ATO -220 / FP / DPAK / IPAK / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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