| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 2.50 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 4.50 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 70.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.25 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD3NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD3NK80Z-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.25 A, 800 V, 3.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 3.8ヘ - 2.5A - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 3.8ヘ - 2.5A - TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
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