| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 2.40 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 3.60 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 45.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.40 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600 V ， 3.3 Ω ， 2.4 A， DPAK SuperFREDMesh ™功率MOSFET N-channel 600 V, 3.3 Ω, 2.4 A, DPAK SuperFREDMesh™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 3.3ohm - 2.4A TO- 220 / FP / D2PAK / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 3.3ohm - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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