类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 2.30 A |
封装 | TO-252 |
漏源极电阻 | 2.80 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 45.0 W |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.30 A |
上升时间 | 13.0 ns |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
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ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STD3NK50Z-1 晶体管, MOSFET, N沟道, 1.15 A, 500 V, 2.8 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 2.8ohm - 2.3A TO- 92 / DPAK / IPAK齐纳保护的超网MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.8ohm - 2.3A TO-92/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESH MOSFET
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