| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -24.0 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 32.0 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 70.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | -30.0 V |
| 漏源击穿电压 | 30.0 V |
| 栅源击穿电压 | -16.0 V to 16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 24.0 A |
| 上升时间 | 122 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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STMICROELECTRONICS STD30PF03LT4 晶体管, MOSFET, P沟道, -24 A, -30 V, 28 mohm, -10 V, -1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道30V - 0.025ohm - 24A DPAK / IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET P-CHANNEL 30V - 0.025ohm - 24A DPAK/IPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
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