| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 600 V |
| 额定电流 | 1.00 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 8.00 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.00 A |
| 上升时间 | 5.00 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
15 页 / 0.41 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道600V - 8 - 1A的DPAK / IPAK / TO- 92超网功率MOSFET N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK / IPAK / TO-92 SuperMESH Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD1NK60-1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
