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STD13NM60N
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STD13NM60N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-252
描述:STMICROELECTRONICS  STD13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:STD13NM60N 数据手册 (30 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STD13NM60N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-252
极性N-Channel
功耗90.0 W
漏源极电压(Vds)650V
连续漏极电流(Ids)5.50 A
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STD13NM60N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Reel
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STD13NM60N 数据手册

STD13NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
30 页 / 1.38 MByte
STD13NM60N 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
24 页 / 1.12 MByte
STD13NM60N 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte

STD13NM60 数据手册

STD13NM60N 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STD13NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.28 ohm, 10 V, 3 V
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