| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 100 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 30.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 18.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.08欧姆 - 12A IPAK / DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.08 ohm - 12A IPAK/DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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