| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 80.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 35.0 W |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tube |
ST Microelectronics（意法半导体）
0.22 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道40 V ， 3.5 MI © ， 80 A， DPAK ， D²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET⢠VI DeepGATE⢠Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500 V， 0.29 Ω ， 11 A， FDmesh ？二功率MOSFET （具有快速二极管） ， D2PAK ， DPAK N-channel 500 V, 0.29 Ω, 11 A, FDmesh™ II Power MOSFET (with fast diode), D2PAK, DPAK
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD12N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
TE Connectivity（泰科）
TE CONNECTIVITY / RAYCHEM STD12W-5 电缆标识，E型，尺寸 12 编号 5
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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