| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | TO-252 |
| 漏源极电阻 | 180 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 40.0 W |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 10.0 A |
ST Microelectronics（意法半导体）
0.2 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD10NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.53 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD10NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STD10NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET
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N沟道24V - 0.0042 ？ - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 24V - 0.0042з - 60A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
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N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源（LLC 转换器）。 其配置具有低栅极电荷，以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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