STB9NK90Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	N沟道900 V， 1.1 Ω ， 8 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， TO- 247齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
PDF文件:	STB9NK90Z 数据手册 (17 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB9NK90Z 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
额定电压(DC)	900 V
额定电流	8.00 A
封装	TO-263-3
极性	N-Channel
漏源极电压(Vds)	900 V
连续漏极电流(Ids)	8.00 A

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类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape

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ST Microelectronics（意法半导体）

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N沟道900 V， 1.1 Ω ， 8 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， TO- 247齐纳保护超网™功率MOSFET N-channel 900 V, 1.1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

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