Datasheet 搜索 > 中高压MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STB8NM60T4 Datasheet 文档
STB8NM60T4
来自 AiPCBA

STB8NM60T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:中高压MOS管
封装:TO-263
描述:STMICROELECTRONICS  STB8NM60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 650 V, 0.9 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STB8NM60T4 数据手册 (1 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STB8NM60T4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)650 V
额定电流5.00 A
封装TO-263
漏源极电阻900 mΩ
极性N-Channel
功耗100 W
栅电荷18.0 nC
漏源极电压(Vds)650 V
漏源击穿电压600 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)5.00 A
上升时间10.0 ns
查看数据手册 >

STB8NM60T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Reel
查看数据手册 >

STB8NM60T4 数据手册

STB8NM60T4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.15 MByte
STB8NM60T4 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.75 MByte
STB8NM60T4 其他参考文件
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.13 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet