| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 80.0 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 15.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80.0 A |
| 上升时间 | 145 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.012OHM - 80A - TO- 220 / D2PAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 100V - 0.012OHM - 80A - TO-220 / D2PAK Low gate charge STRIPFET TM II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
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