| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 5.20 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 1.80 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 125 W |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.20 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
17 页 / 0.91 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB7NK80ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 800V - 1.5ヘ - 5.2A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800 V ， 1.5 Ω ， 5.2 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK ， I2PAK齐纳保护超网？功率MOSFET N-channel 800 V, 1.5 Ω, 5.2 A, TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
