| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 75.0 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 10.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 75.0 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | -15.0 V to 15.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 75.0 A |
| 上升时间 | 150 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道75V - 0.0095ヘ - 80A - TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 75V - 0.0095ヘ - 80A - TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB75NF75LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 37.5 A, 75 V, 0.009 ohm, 15 V, 2.5 V
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