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STB50NE10T4
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STB50NE10T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:D2PAK
描述:N沟道100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-channel 100V - 0.021ヘ - 50A - D2PAK STripFET⑩ Power MOSFET
PDF文件:STB50NE10T4 数据手册 (13 页)
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符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STB50NE10T4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
额定电压(DC)100 V
额定电流50.0 A
封装D2PAK
漏源极电阻21.0 mΩ
极性N-Channel
功耗180 W
漏源极电压(Vds)100 V
漏源击穿电压100 V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)50.0 A
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STB50NE10T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tape
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STB50NE10T4 数据手册

STB50NE10T4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.42 MByte

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