Datasheet 搜索 > MOS管 > ST Microelectronics（意法半导体） > STB42N65M5 Datasheet 文档
STB42N65M5
来自 AiPCBA

STB42N65M5 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:STMICROELECTRONICS  STB42N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:STB42N65M5 数据手册 (18 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STB42N65M5 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263
极性N-Channel
漏源极电压(Vds)650V
连续漏极电流(Ids)33A
查看数据手册 >

STB42N65M5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
查看数据手册 >

STB42N65M5 数据手册

STB42N65M5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
18 页 / 1.06 MByte
STB42N65M5 其他数据使用手册
ST Microelectronics（意法半导体）
3 页 / 0.31 MByte
STB42N65M5 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.75 MByte

STB42N65 数据手册

STB42N65M5 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS  STB42N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet