| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 200 V |
| 额定电流 | 40.0 A |
| 封装 | TO-263 |
| 漏源极电阻 | 45.0 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 输入电容 | 2.50 nF |
| 栅电荷 | 75.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 200 V |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 25.0 A, 40.0 A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB40NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 28 mohm, 10 V, 2.8 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 200 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.028ohm - 40A D2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.028ohm - 40A D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道150V - 0.045Î © - 40A - D2PAK MESH OVERLAYâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 150V - 0.045Ω - 40A - D2PAK MESH OVERLAY⢠Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A D2PAK MESH OVERLAY⑩ MOSFET
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