| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | D2PAK-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 600V |
| 连续漏极电流(Ids) | 21A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics
●MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
●高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性
●符合 AEC-Q101
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V 新
ST Microelectronics（意法半导体）
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