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STB21NM60ND
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STB21NM60ND 技术参数、封装参数

STB21NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

STB21NM60ND 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.54 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.31 MByte
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STB21NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB21NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.19欧姆 - 17 A TO - 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代的MDmesh MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.19 Ohm - 17 A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET
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