| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 75.0 V |
| 额定电流 | 120 A |
| 封装 | TO-252-3 |
| 漏源极电阻 | 7.50 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 310 W |
| 漏源极电压(Vds) | 75.0 V |
| 漏源击穿电压 | 75.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120 A |
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道75V - 0.0065欧姆-120A DPAK / IPAK / TO- 220的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 75V - 0.0065 ohm -120A DPAK/IPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
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