| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 550 V |
| 额定电流 | 12.0 A |
| 封装 | D2PAK |
| 漏源极电阻 | 350 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 160 W |
| 输入电容 | 1.00 nF |
| 栅电荷 | 39.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 500 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 栅源击穿电压 | -30.0 V to 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 10.0 ns |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V ， 0.29欧姆， 11A ， FDmesh II功率MOSFET （具有快速二极管）的D2PAK ， DPAK ， TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
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STMICROELECTRONICS STB12NM50T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
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N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)
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