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STB12NK80ZT4
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STB12NK80ZT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263
描述:N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
PDF文件:STB12NK80ZT4 数据手册 (22 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

STB12NK80ZT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)800 V
额定电流10.5 A
封装TO-263
漏源极电阻750 mΩ
极性N-Channel
功耗190 W
漏源极电压(Vds)800 V
漏源击穿电压800 V
栅源击穿电压-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)10.5 A
上升时间18.0 ns
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STB12NK80ZT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Cut Tape (CT)
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STB12NK80ZT4 数据手册

STB12NK80ZT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 0.67 MByte
STB12NK80ZT4 产品修订记录
ST Microelectronics（意法半导体）
5 页 / 0.04 MByte
STB12NK80ZT4 其他参考文件
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N沟道800V - 0.65欧姆 - 10.5A TO- 220 / D2PAK / TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.65 OHM - 10.5A TO-220 / D2PAK / TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET
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