| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 120 A |
| 封装 | D2PAK |
| 漏源极电阻 | 10.5 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 312 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 110 A |
| 上升时间 | 90.0 ns |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.009OHM - 110A - TO- 247 - TO- 220 - D2PAK STripFET2功率MOSFET N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
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