STB11NM80T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263
描述:	STMICROELECTRONICS STB11NM80T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
PDF文件:	STB11NM80T4 数据手册 (22 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB11NM80T4 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
额定电压(DC)	800 V
额定电流	11.0 A
封装	TO-263
漏源极电阻	400 mΩ
极性	N-Channel
功耗	150 W
漏源极电压(Vds)	800 V
漏源击穿电压	800 V
栅源击穿电压	-30.0 V to 30.0 V
连续漏极电流(Ids)	44.0 A
上升时间	17.0 ns

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STB11NM80T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Cut Tape (CT)

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STB11NM80T4 数据手册

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