| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | D2PAK |
| 漏源极电阻 | 4.60 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 漏源极电压(Vds) | 40V |
| 漏源击穿电压 | 40.0 V |
| 栅源击穿电压 | -20.0 V to 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 120 A |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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N沟道40V - 0.0043ohm - 120A TO- 220 / D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 0.0043ohm - 120A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB100NF04T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 V
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