Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39VF040-70-4I-NHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39SF040-70-4I-NHE 闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, LCC, 32 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39VF6401B-70-4C-EKE 闪存, 64 Mbit, 4M x 16位, 并行, TSOP, 48 引脚
Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39VF040-70-4C-NHE. 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 1 kHz, LCC, 32 引脚
Microchip（微芯）
SST39VF1601/1602 并行 SuperFlash® 存储器### 闪存，Microchip
Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39VF010-70-4I-NHE 闪存, 或非, 1 Mbit, 128K x 8位, LCC, 32 引脚
Microchip（微芯）
SST39VF 系列 并行 NOR 闪存 70 ns 8 Mb - TFBGA-48
Microchip（微芯）
SST39VF3201/3202 并行 SuperFlash® 存储器### 闪存，Microchip
Microchip（微芯）
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
Microchip（微芯）
SST39SF 系列 4 Mb 512 K x 8 5 V 多用途 闪存 - TSOP-32
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