SST39LF040-55-4C-NHE 数据手册 - Microchip（微芯）

SST39LF010/020/040 并行 SuperFlash® 存储器

●Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。

●### 特点

●3.0-3.6V 读取和写入操作

●寿命 - 100,000 次循环（典型）

●低功耗 - 有源电流 5 mA，待机电流 1 μA（14 MHz 时的典型值）

●扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区

●读取访问时间 - 55 ns

●扇区擦除时间 18 ms

●芯片擦除时间：70 ms（典型）

●字节编程时间 - 14 μs（典型）

●芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒，SST39SF020 4 秒，SST39SF040 8 秒（典型值）

●锁存地址和数据

●自动写入计时 - 内部 VPP 生成

●写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询

●CMOS 输入/输出兼容性

●JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件

●### 闪存，Microchip