SST3904 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V

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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V

●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A

●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz

●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300

●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V

●耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W

●Description & Applications| Features •NPN General Purpose Transistor •BVCEO > 40V (IC = 1mA) •Complements the UMT3906 / SST3906 / MMST3906 / 2N3906.

●描述与应用| 特点 •NPN通用晶体管 •BVCEO>40V（IC=1MA） 补充UMT3906/ SST3906/ MMST3906/2N3906。