集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Features •NPN Medium Power Transistor (Switching) •BVCEO > 40V (IC = 1mA) •Complements the UMT2907A / SST2907A/ MMST2907A / PN2907A 描述与应用| 特点 •NPN中等功率晶体管（开关） •BVCEO>40V（IC=1MA） •补充UMT2907A的/ SST2907A的/ MMST2907A/ PN2907A
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM SST2222AT116 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 150 mA, 100 hFE
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