| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-723/VESM |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.1A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 2.2Ω/Ohm @10A,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low ON-resistance : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •最适用于高密度安装在小包装 •低导通电阻 ：RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON =7.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V）
Toshiba（东芝）
高速开关应用模拟开关应用•最适用于高密度安装在小包装•低导通电阻：RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V）RON =7.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V）
Toshiba（东芝）
SSM3K15FU N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DP 高速开关
Toshiba（东芝）
SSM3K15AMFV N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-723/VESM marking/标记 DI
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