| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -18.6 A |
| 封装 | TO-263 |
| 极性 | P-Channel |
| 输入电容 | 860 pF |
| 栅电荷 | 33.0 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 60.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.6 A |
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET
●Infineon
● SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
●· 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表）
●· 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准
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INFINEON SPB18P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB18P06PGATMA1, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor
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