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SI7860DP
来自 AiPCBA

SI7860DP 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:PowerPAK
描述:N沟道减少的Qg ，快速开关MOSFET N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
SI7860DP 数据手册
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SI7860DP 技术参数、封装参数

类型描述
封装PowerPAK
漏源极电阻8.00 mΩ
极性N-Channel
功耗5.00 W
漏源极电压(Vds)30V
栅源击穿电压-20.0 V to 20.0 V
连续漏极电流(Ids)18.0 A

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