类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
额定电压(DC) | 20.0 V |
额定电流 | 4.10 A |
封装 | SSOT |
漏源极电阻 | 39.0 mΩ |
功耗 | 1.60 W |
漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
漏源击穿电压 | 20.0 V |
栅源击穿电压 | 8.00 V |
连续漏极电流(Ids) | 4.10 A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
包装方式 | Tape |
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
VISHAY(威世)
N沟道2.5 -V (G -S )的MOSFET N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY SI3442BDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 20 V, 0.045 ohm, 4.5 V, 1.8 V
Vishay Semiconductor(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
VISHAY(威世)
N 通道 MOSFET,8V 至 25V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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