| 类型 | 描述 |
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| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-23/SC-59 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.7A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.117Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 耗散功率Pd Power Dissipation| 830mW/0.83W Description & Applications| N-channel enhancement mode field-effect transistor N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 echnology TrenchMOS™ technology Very fast switching Subminiature surface mount package. 描述与应用| N沟道增强型场效应晶体管 N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 的TrenchMOS™1技 TrenchMOS™技术 开关速度非常快 超小型表面贴装封装
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
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VISHAY（威世）
30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2304DDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 30 V, 0.049 ohm, 10 V, 2.2 V
VISHAY（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2304BDS-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2304BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236
NXP（恩智浦）
NXP SI2304DS,215 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 30 V, 117 mohm, 10 V, 2 V
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