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SI2304DDS-T1-GE3
来自 AiPCBA

SI2304DDS-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:VISHAY（威世）
分类:MOS管
封装:TO-236, SC-59, SOT-23-3
描述:30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
PDF文件:SI2304DDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

SI2304DDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-236, SC-59, SOT-23-3
极性N-Channel
功耗1.10 W
漏源极电压(Vds)30.0 V
连续漏极电流(Ids)3.60 A
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SI2304DDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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SI2304DDS-T1-GE3 数据手册

SI2304DDS-T1-GE3 数据手册
VISHAY（威世）
10 页 / 0.23 MByte
SI2304DDS-T1-GE3 其他数据使用手册
VISHAY（威世）
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30V,3.6A,0.06Ω,N沟道功率MOSFET
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