| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 极性 | N-Channel |
| 漏源极电压(Vds) | 30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.20 A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 3.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.105Ω/Ohm @2A,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.5-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1.08w Description & Applications| N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET 描述与应用| N沟道1.25-W， 2.5 V MOSFET
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
N通道30 -V （D -S ）的MOSFET N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2304BDS-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道
Vishay Semiconductor（威世）
VISHAY SI2304BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 3.2A, TO-236
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