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S29GL512S11TFI010
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S29GL512S11TFI010 技术参数、封装参数

S29GL512S11TFI010 外形尺寸、物理参数、其它

S29GL512S11TFI010 数据手册

Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
102 页 / 1.44 MByte
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
30 页 / 0.42 MByte

S29GL512S11 数据手册

Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S11DHIV10  闪存, 或非, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
芯片, 闪存, 或非, 512MB, TSOP-56
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
NOR闪存 512Mb 3V 110ns Parallel NOR闪存
Spansion(飞索半导体)
Spansion### 快闪存储器闪存 IC 是非易失 RAM,必须按块写入/擦除。 它有限定的写入周期的次数,适用于不经常更改的程序存储。
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S11TFIV20  芯片, 闪存, 或非, 512MB, TSOP-56
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 并行NOR, 512 Mbit, 64M x 8位, CFI, 并行, TSOP, 56 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S11DHIV20  闪存, 或非, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
Spansion(飞索半导体)
SPANSION  S29GL512S11TFI020  闪存, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚
Cypress Semiconductor(赛普拉斯)
闪存, 或非, 并行NOR, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, FBGA, 64 引脚
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